|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Cluster secondary ion emission of silicon: an influence of the samples’ dimensional featuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 февраля 2019 г.
- Авторы: Tolstogouzov A., Drozdov M.N., Belykh S.F., Gololobov G.P., Ieshkin A.E., Mazarov P., Suvorov D.V., Fu D., Pelenovich V., Zeng X., Zuo W.
- Журнал: Rapid Communications in Mass Spectrometry
- Том: 33
- Номер: 3
- Год издания: 2019
- Издательство: John Wiley & Sons Inc.
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 323
- Последняя страница: 325
- DOI: 10.1002/rcm.8345
- Добавил в систему: Иешкин Алексей Евгеньевич