|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурахтезисы доклада
- Авторы: Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Тезисы докладов Всероссийского симпозиума “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”
- Тезисы
- Год издания: 1998
- Место издания: г. С.-Петербург
- Первая страница: 19
- Аннотация: Исследовались процессы образования и релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурах. Немонотонная кинетика фотоиндуцированных структурных изменений и релаксации при повышенных температурах указывает на сосуществование двух процессов, один из которых соответствует созданию оборванных связей кремния, другой же имеет аномальные характеристики. Предложена феноменологическая модель, которая описывает аномальные процессы.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна