CHARACTERISTICS OF FORMATION OF DEFECTS, AND OF THE SPATIAL-DISTRIBUTION AND LOCALIZATION OF AS ATOMS IMPLANTED IN SILICON UNDER CHANNELING CONDITIONS AT AN ELEVATED-TEMPERATUREстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 21 мая 2019 г.