Применение технологической обработки быстрыми электронами для повышения быстродействия переключательных p-i-n диодов

Авторы: Лагов П.Б., Мусалитин А.М., Дренин А.С.
Сборник: Четвертая Российская конференция с международным участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Кремний 2007)
Тезисы
Год издания: 2007
Место издания: Москва, Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС)
Первая страница: 238
Последняя страница: 238
Аннотация: Исследовано влияние режимов технологической обработки 6 МэВ электронами на электрические параметры переключательных p-i-n диодов с толщиной базы 135 мкм
Добавил в систему: Лагов Петр Борисович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА