Аннотация:Рассматривается возможность моделирования процессов в мощных полупроводниковых лазерах с широким контактом с учётом ограничений, накладываемых малой длиной когерентности излучения этих приборов, ведущей к распаду оптического поля на нефазированные каналы генерации.