Исследование различных режимов эпитаксиального наращивания слоев кремния для создания pin структур переключательных диодов

Авторы: Колмакова Т.П., Дренин А.С., Лагов П.Б.
Сборник: Четвертая Российская конференция с международным участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Кремний 2007)
Тезисы
Год издания: 2007
Место издания: Москва, Государственный технологический университет "Московский институт стали и сплавов" (МИСиС)
Первая страница: 161
Последняя страница: 161
Аннотация: Исследованы различные режимы эпитаксиального наращивания слоев кремния для создания pin структур переключательных диодов на различные диапазоны частот и напряжений
Добавил в систему: Лагов Петр Борисович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА