|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Об эффекте кристаллической структуры в распылении двухкомпонентных монокристаллических мишенейстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 14 октября 2020 г.
- Авторы: Самойлов В.Н., Ананьева Н.Г.
- Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
- Номер: 8
- Год издания: 2019
- Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 106
- Последняя страница: 112
- DOI: 10.1134/S0207352819080146
- Аннотация: 7 стр., 4 рис., 1 табл. С помощью компьютерного моделирования методом молекулярной динамики исследовано распыление на прострел атомов компонент при ионной бомбардировке грани (0001) двухкомпонентного монокристалла VSi2. Рассчитано распыление атомов компонент при распылении виртуальных монокристаллов VV’2 и Si’Si2, состоявших из атомов одной массы, и исследован новый эффект в селективном распылении: при равенстве масс и энергий связи атомов компонент на прострел преимущественно распылялись атомы из ванадиевых узлов. Этот эффект можно назвать эффектом неидентичности узлов компонент в сложной решетке VSi2 (типа C40) к распространению импульса в каскадах столкновений, то есть эффектом структуры в селективном распылении двухкомпонентных монокристаллических мишеней. Ключевые слова: распыление, прохождение ионов, селективное распыление, распыление на прострел, двухкомпонентные мишени, VSi2, тонкие монокристаллические пленки.
- Добавил в систему: Самойлов Владимир Николаевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | VNS_2019_Poverhnost_8.pdf | 394,5 КБ | 15 июня 2019 [sput] |