Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
SASAKI-SHIBUYA EFFECT IN MANY-VALLEY NARROW-GAP BI1-XSBX SEMICONDUCTORS
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
Автор:
BOGDANOV EV
Журнал:
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
Том:
25
Номер:
11
Год издания:
1991
Первая страница:
1221
Последняя страница:
1224
Добавил в систему:
Богданов Евгений Владимирович