Аннотация:Рассмотрены результаты теоретического анализа перемагничивания порогового СТМР-перехода с полоской из FeNiCo-MgO-CoNi наноструктуры в однородном импульсном магнитном поле, направленном перпендикулярно оси легкого намагничивания FeNiCo пленки и параллельно направленном векторе намагниченности CoNi пленки на основе теории микромагнетизма и решения уравнения Ландау-Лившица-Гильберта. Переходы с подобным набором магнитных параметров при воздействии на них магнитного поля имеют одно устойчивое магнитное состояние. Определена минимальная длительность и амплитуда импульса поля для осуществления перемагничивания СТМР-полоски в магнитном поле, создаваемом импульсом тока в планарном проводнике, и параметры перехода.