|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
ПЛОТНОСТЬ ДИСЛОКАЦИЙ В ПЛЕНКАХ PBTE, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ SI (100) И BAF 2 (100) МОДИФИЦИРОВАННЫМ МЕТОДОМ "ГОРЯЧЕЙ СТЕНКИ"статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКДата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 ноября 2021 г.
- Авторы: Самойлов А.М., Беленко С.В., Сирадзе Б.А., Тореев А.С., Донцов А.И., Филонова И.В.
- Журнал: Конденсированные среды и межфазные границы
- Том: 15
- Номер: 3
- Год издания: 2013
- Первая страница: 322
- Последняя страница: 331
- Аннотация: Цель работы заключается в сравнительном изучении влияния степени структурного совершенства подложек Si (100) и BaF 2 (100) и качества их предэпитаксиальной подготовки на величину скалярной плотности дислокаций в пленках PbTe, синтезированных модифицированным методом «горячей стенки» при одинаковых технологических режимах. Установлено, что величина плотности дислокаций зависит, главным образом, от степени структурного совершенства кристаллической структуры подложки и от величины несоответствия периодов идентичности. Качество предэпитаксиальной подготовки влияет на величину плотности дислокаций только для подложек из одного и того же материала. Выдвинуто предположение относительно механизмов роста пленок PbTe на подложках Si (100) и BaF 2 (100).
- Добавил в систему: Донцов Алексей Игоревич