|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Выращенные на кремнии многослойные гетероструктуры Ge/SiGe для оптоэлектроникитезисы доклада
- Авторы: Бурбаев Т.М., Садофьев Ю.Г., Акмаев М.А., Алешкин В.А., Алещенко Ю.А., Клековкин А.В., Муратов А.В., Новиков А.В., Ушаков В.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В.
- Сборник: Мокеровские чтения. 9-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 23 мая 2018 года, Москва
- Тезисы
- Год издания: 2018
- Место издания: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва Москва
- Первая страница: 72
- Последняя страница: 73
- Добавил в систему: Акмаев Марк Александрович