Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Growing on silicon multilayer heterostructures of Ge/SiGe for optoelectronics
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 июля 2019 г.
Авторы:
Burbaev T.M.
,
Sadofyev Yu G.
,
Akmaev M.A.
, Aleshkin V.Ya,
Aleshchenko Yu A.
,
Klekovkin A.V.
, Muratov A.V., Novikov A.V., Ushakov V.V., Yunin P.A., Yurasov D.V.
Сборник:
Proceedings of the International Conference "Micro- and Nanoelectronics — 2018" (ICMNE-2018)
Тезисы
Год издания:
2018
Издательство:
ООО "МАКС Пресс"
Местоположение издательства:
Москва
Первая страница:
172
Добавил в систему:
Акмаев Марк Александрович