|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Влияние дисперсии магнитной анизотропии кластеров Ge3Mn5 на температурные зависимости намагниченности тонких пленок Ge:Mnстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКДата последнего поиска статьи во внешних источниках: 1 августа 2019 г.
- Авторы: Дмитриев А.И., Дмитриева М.С., Зиборов Г.Г.
- Журнал: Письма в "Журнал технической физики"
- Том: 45
- Номер: 2
- Год издания: 2019
- Издательство: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 36
- Последняя страница: 38
- DOI: 10.21883/PJTF.2019.02.47221.17559
- Аннотация: Для ионно-имплантированных тонких пленок Ge:Mn (4 at.% Mn), содержащих кластеры Ge3Mn5, получены температурные зависимости намагниченности M(T), измеренные после охлаждения пленок в нулевом магнитном поле (ZFC) и в магнитном поле 10 kOe (FC). Установлено, что вид ZFC-FC-кривых M(T) определяется логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров, задаваемым их распределением по размеру. Анализ ZFC-FC-кривых позволил оценить температуру блокировки и дисперсию магнитной анизотропии кластеров, а также константу магнитной анизотропии.
- Добавил в систему: Зиборов Георгий Георгиевич