Effect of thermal oxidation on charge carrier transport in nanostructured siliconстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Effect of thermal oxidation on charge carrier transport in nanostructured silicon / E. A. Agafonova, M. N. Martyshov, P. A. Forsh et al. // Semiconductors. — 2010. — Vol. 44, no. 3. — P. 350–353.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть