Charge carrier transport in a structure with silicon nanocrystals embedded into oxide matrixстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
Аннотация:Current-voltage characteristics of Al/SiO2/c-Si structures with silicon nanocrystals (nc-Si) in the oxide layer are studied in a wide temperature range. The analysis based on the experimental data has shown that thermostimulated tunneling via electron states in nc-Si is a most probable mechanism of charge carrier transport in these structures.