Erbium doped silicon single- and multilayer structures for light-emitting device and laser applicationsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 ноября 2017 г.
Аннотация:The paper is a brief retrospective review of our contribution to the Si:Er problem in the last decade. It contains a description of the experimental facilities, results of the light-emitting media (Si:Er and Si1-xGex:Er) research, and device applications.