|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Highly efficient sensitizing of erbium ion luminescence in size-controlled nanocrystalline Si/SiO2 superlattice structuresстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Timoshenko V.Y., Lisachenko M.G., Kamenev B.V., Shalygina O.A., Kashkarov P.K., Heitmann J., Schmidt M., Zacharias M.
- Журнал: Applied Physics Letters
- Том: 84
- Номер: 14
- Год издания: 2004
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 2512
- Последняя страница: 2514
- DOI: 10.1063/1.1690465
- Аннотация: Comparative studies of photoluminescence (PL) of undoped and Er-doped size-controlled nanocrystalline Si/SiO2 superlattice structures show that the optical excitation of Si nanocrystals can be completely transferred to the Er3+ ions in surrounding SiO2, resulting in a strong PL line at 1.5 mum. The PL yield of the Er-doped structure increases for higher photon energy of excitation and for smaller nanocrystal sizes. This highly efficient sensitizing of the Er-related PL is explained by a strong coupling between excitons confined in Si nanocrystals and neighboring Er3+ ions in their upper excited states. (C) 2004 American Institute of Physics.
- Добавил в систему: Тимошенко Виктор Юрьевич