Laser ultrasonic study of porous silicon layersстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Laser ultrasonic study of porous silicon layers / S. M. Zharkii, A. A. Karabutov, I. M. Pelivanov et al. // Semiconductors. — 2003. — Vol. 37, no. 4. — P. 468–472. Propagation of ultrasonic signals induced by nanosecond laser pulses in porous silicon (por-Si) is considered from both the theoretical and the experimental viewpoints. The experimental samples are por-Si layers with 5- to 40-mum thickness and porosity of 50-75%; these layers were formed on a single-crystal silicon substrate by electrochemical etching. It is shown that the suggested ultrasonic laser method allows both the thickness and the porosity of a layer to be determined with the respective accuracies of no worse than 1 mum and 5%. (C) 2003 MAIK Nauka/Interperiodica. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть