|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Effect of roughness of hydrogenated Si(111) surfaces on defect annealing and formation under excimer laser irradiationстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
- Авторы: Timoshenko V.Y., Dittrich T., Rappich J.
- Журнал: Physica status solidi (A): Applied research
- Том: 173
- Номер: 2
- Год издания: 1999
- Издательство: Academic Press
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: R3
- Последняя страница: R4
- DOI: 10.1002/(SICI)1521-396X(199906)173:2<R3::AID-PSSA99993>3.3.CO;2-Z
- Аннотация: Laser processing is a powerful tool for modification of semiconductor surfaces and thin films [1]. Hydrogenated Si surfaces are important for ultraclean technology. However, the influence of intensive laser irradiation on the electronic properties of these surfaces has not been investigated yet. We have observed an annealing of nonradiative defects on hydrogenated Si(lll) surfaces with a roughness on the scale of interatomic distance and a decrease of the threshold of laser induced defect formation for higher roughness after XeCl laser irradiation with pulse energies between 0.25 and 0.6 J/cm(2) and 0.5 and 0.75 J/cm(2), respectively.
- Добавил в систему: Тимошенко Виктор Юрьевич