|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Investigation of the photovoltage in por-Si/p-Si structures by the pulsed-photovoltage methodстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Timoshenko V.Y., Konstantinova E.A., Dittrich T.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 32
- Номер: 5
- Год издания: 1998
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 549
- Последняя страница: 554
- DOI: 10.1134/1.1187436
- Аннотация: Photovoltaic phenomena in the structures por-Si/p-Si were investigated by the pulsed photovoltage method in the time interval 100 ns-10 ms using irradiation with nanosecond laser pulses with photon energies 1.4, 2.0, 2.8, and 3.7 eV. The data obtained show that besides the barrier photovoltage, due to the separation of nonequilibrium charge carriers in the space-charge region of p-Si at the por-Si/p-Si interface, there also exists an efficient mechanism of photovoltage formation due to charging of the surface of the per-Si nanostructure. This mechanism is explained as "optical doping" of a semiconductor and develops in a manner peculiar to semiconductor nanostructures. (C) 1998 American Institute of Physics. [S1063-7826(98)02105-X].
- Добавил в систему: Тимошенко Виктор Юрьевич