|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Point defect clusters in Pb1-xInxTe single crystals revealed by X-ray diffuse scattering methodстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Zlomanov V.P., Chtcherbatchev K.D., Tkalich A.K.
- Журнал: Journal of Solid State Chemistry
- Том: 137
- Номер: 1
- Год издания: 1998
- Издательство: Elsevier B.V.
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 119
- Последняя страница: 121
- DOI: 10.1006/jssc.1997.7729
- Аннотация: The method of X-ray diffuse scattering is used to characterize the point defect structure in Pb1-xInxTe (x = 0.005-0.055) single crystals, It is found that clusters of both vacancy and interstitial defects are present in all samples, but the ratio of their concentrations varies depending on the doping level. The clusters of interstitial point defects are supposed to be dislocation loops formed from Pb-i and Te-i, while the clusters of vacancy-type defects may be formed from complexes of In atoms and tellurium vacancies. (C) 1998 Academic Press.
- Добавил в систему: Зломанов Владимир Павлович