|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Development of a molecular single-electron transistor with a single-atom charge centerстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 мая 2019 г.
- Авторы: Gaidamachenko V., Morozova E., Dagesyan S., Soldatov E., Beloglazkina E.
- Журнал: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
- Том: 11022
- Год издания: 2019
- Издательство: SPIE, the International Society for Optical Engineering
- Местоположение издательства: Bellingham, WA, United States
- Первая страница: 1102206
- DOI: 10.1117/12.2522367
- Добавил в систему: Дагесян Саркис Арменакович