|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Silicon Nanowire Field Effect Transistor With Highly Doped Leadsтезисы доклада
- Авторы: Amitonov S., Presnov D., Rudenko K., Rudakov V., Krupenin V.
- Сборник: International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2012”. Abstr. Book
- Тезисы
- Год издания: 2012
- Место издания: Moscow-Zvenigorod, Russia, 1-5 October
- Первая страница: O3-02
- Добавил в систему: Преснов Денис Евгеньевич