Численное моделирование резонансных «запрещённых» отражений в кристалле Geстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 января 2022 г.
Аннотация:"Запрещенные" отражения наблюдаются при дифракции синхротронного излучения с длинами волн, близкими к краям поглощения, в кристаллах. В настоящей работе предлагается новый метод расчета интенсивности термоиндуцированных (ТМИ) запрещенных отражений. Он включает в себя два этапа: моделирование мгновенных тепловых атомных смещений с помощью метода \textit{ab initio} молекулярной динамики и последующее квантовомеханическое вычисление амплитуды резонансного рассеяния для различных конфигураций. Эта методика использована для расчета температурного поведения интенсивности отражения $600$ в Ge и хорошо объясняет экспериментальные данные. Предложенный метод моделирования запрещенных ТМИ отражений годится для любых кристаллических структур и может объяснить многие результаты, полученные к настоящему времени на синхротронах.