|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Фотопроводимость в эпитаксиальных структурах на основе Hg1-xCdxTe с варьируемой толщиной активного слоястатья
- Авторы: Казаков А.С., Галеева А.В., Артамкин А.И., Иконников А.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Банников М.И., Данилов С.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.
- Сборник: XXIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 11-14 марта, 2019, труды симпозиума
- Том: 2
- Год издания: 2019
- Первая страница: 706
- Последняя страница: 707
- Добавил в систему: Казаков Алексей Сергеевич