Correlation between plasma OES and properties of B-doped diamond films grown by MW PE CVDстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 4 февраля 2014 г.
Авторы:
Belousov M.E.,
Krivchenko V.A. ,
Minakov P.V. ,
Pal A.F. ,
Rakhimov A.T. ,
Suetin N.V. ,
Sen V.V.
Журнал:
ECS Transactions
Том:
25
Номер:
8 PART 1
Год издания:
2009
Издательство:
Electrochemical Society, Inc.
Местоположение издательства:
United States
Первая страница:
257
Последняя страница:
263
DOI:
10.1149/1.3207599
Аннотация:
Boron doped polycrystalline diamond films were grown using MW PE CVD technique. Optical emission spectra (OES) of MW-plasma in the region from 200 nm to 800 nm during boron doped polycrystalline diamond films growth were in situ investigated. Raman spectroscopy method was used for structural investigation of grown polycrystalline diamond films. Also, absorption spectroscopy method was used for optical properties investigation of all grown films. © The Electrochemical Society.
Добавил в систему:
Кривченко Виктор Александрович