Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Исследование поверхностных состояний в топологических изоляторах (BixIn1-x)2Se3
тезисы доклада
Авторы:
Егорова С.Г.
,
Галеева А.В.
,
Тамм М.Е.
,
Яшина Л.В.
,
Данилов С.Н.
,
Рябова Л.И.
,
Хохлов Д.Р.
Сборник:
XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург – Алапаевск, 15-20 февраля 2016
Тезисы
Год издания:
2016
Первая страница:
232
Последняя страница:
233
Добавил в систему:
Хохлов Дмитрий Ремович