Raman scattering in semiconductor structures based on monophthalocyanine and triphthalocyanine molecules incorporating erbium ions

Belogorokhov, I.A.; Tikhonov, E.V.; Breusova, M.O.; Pushkarev, V.E.; Zoteev, A.V.; Tomilova, L.G.; Khokhlov, D.R.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Авторы: Belogorokhov I.A., Tikhonov E.V., Breusova M.O., Pushkarev V.E., Zoteev A.V., Tomilova L.G., Khokhlov D.R.
Журнал: Semiconductors
Том: 41
Номер: 11
Год издания: 2007
Издательство: Springer
Местоположение издательства: New York
Первая страница: 1361
Последняя страница: 1363
DOI: 10.1134/S1063782607110164
Аннотация: Semiconductor structures of the type of butyl-substituted erbium monophthalocyanine and triphthalocyanine are studied by Raman spectroscopy. It is shown that, when the sandwich-like structure of the molecule incorporating two complexing atoms between the ligands is considered instead of the planar molecular structure with one ligand and one metal atom, a series of lines appears in the Raman spectrum. In this series, the wave numbers of the lines represent an arithmetic progression with the arithmetical ratio similar to 80 cm(-1). It is suggested that this feature is due to the larger number of organic molecules per metal atom in the triphthalocyanine complex, and the four Raman peaks at the frequencies 122, 208, 280, and 362 cm(-1) are the manifestation of slight out-of-plane vibrations of the phthalocyanine ligands.
Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ИНХС РАН

Raman scattering in semiconductor structures based on monophthalocyanine and triphthalocyanine molecules incorporating erbium ionsстатья

Прикрепленные файлы