|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Положительная задержанная фотопроводимость в двойных гетероструктурах Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As р-типастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Краак В., Минина Н.Я., Савин А.М., Ильевский А.А., Соренсен К.Б.
- Журнал: Письма в "Журнал технической физики"
- Том: 28
- Номер: 12
- Год издания: 2002
- Издательство: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 85
- Последняя страница: 90
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна