Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Noise characteristics and charge sensitivity of highly doped SOI based single-electron transistor versus Al/AlOx/Al junctions based device
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
Авторы:
Krupenin V.A.
,
Presnov D.E.
,
Vlasenko V.S.
,
Trifonov A.S.
,
Amitonov S.V.
Сборник:
Abstracts of The Third General Meeting of ACCMS-VO (Asian Consortium on Computational Material Science – Virtual Organisation)
Тезисы
Год издания:
2009
Место издания:
IMR, Tohoku University, Japan, 16-18 February
Первая страница:
PS-26
Добавил в систему:
Преснов Денис Евгеньевич