|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
INFLUENCE OF PRESSURE ON ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF PARA-TYPE INDIUM-ANTIMONIDE IRRADIATED WITH FAST ELECTRONSстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
- Авторы: BRANDT NB, DMITRIEV VV, LADYGIN EA, SKIPETROV EP
- Журнал: Soviet Physics Semiconductors-Ussr
- Том: 21
- Номер: 3
- Год издания: 1987
- Первая страница: 315
- Последняя страница: 319
- Добавил в систему: Скипетров Евгений Павлович