Электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах (Bi1-xInx)2Se3 и Pb1-ySnySe под действием терагерцевого лазерного излучениястатья
-
Авторы:
Галеева А.В.,
Егорова С.Г.,
Черничкин В.И.,
Румянцев В.В.,
Морозов С.В.,
Тамм М.Е.,
Яшина Л.В.,
Plank H.,
Данилов С.Н.,
Рябова Л.И.,
Хохлов Д.Р.
-
Сборник:
XX Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, труды симпозиума
-
Том:
2
-
Год издания:
2016
-
Первая страница:
529
-
Последняя страница:
530
-
Добавил в систему:
Хохлов Дмитрий Ремович