Formation and evolution of nanostructures on semiconductor surfaces in the process of laser-induced inelastic deformationстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
Аннотация:A hierarchy of formed Ge surface relief nanostructures, including a disordered nanocluster structure, a two-dimensional lattice, and a one-dimensional lattice, is observed as the laser irradiation dose is increased. It is described in the framework of the defect deformation mechanism.