|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Characteristic features of transport phenomena in alternatively doped GaAs/Ga1-xAlxAs heterostructuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Brandt N.B., Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Lunin R.A., Kadushkin V.I., Shangina E.L., deVisser A.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 30
- Номер: 4
- Год издания: 1996
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 365
- Последняя страница: 367
- Добавил в систему: Лунин Роман Анатольевич