|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Rotational mobility of equivalent to SiOC center dot X-2 radicals "grafted" to the activated surface of aerosilстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Автор: Pergushov V.I.
- Журнал: Russian Journal of Physical Chemistry A
- Том: 75
- Номер: 5
- Год издания: 2001
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 766
- Последняя страница: 769
- Аннотация: The rotational mobility times of "grafted" drop SiOC .X-2 radicals were determined in a wide temperature range, which made it possible to estimate the activation energies of motions that resulted in averaging of Zeeman and hyperfine interactions in radicals of this type at elevated temperatures.
- Добавил в систему: Пергушов Владимир Иванович