|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Влияние одноосного сжатия на двумерные электроны на гетерогранице n GaAs/AlGaAs:Siтезисы доклада
- Авторы: Богданов Е.В., Минина Н.Я.
- Сборник: Мокеровские чтения. 10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники
- Серия: Сборник трудов
- Тезисы
- Год издания: 2019
- Место издания: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва
- Первая страница: 21
- Последняя страница: 22
- Аннотация: The galvanomagnetic effects in weak magnetic fields and the Shubnikov-de Haas oscillations in a quantizing magnetic field were investigated in (001) n-GaAs/Al{x}Ga{1-x}As:Si heterostructures (x = 0.2; 0.3) at 4.2 K under uniaxial compression up to P = 3.5 kbar in the [110] and [1-10] directions. It has been established that uniaxial compression influence on the transport properties of two-dimensional electrons at the (001) n-GaAs/Al{x}Ga{1-x}As:Si heterointerface are determined by the emerging piezoelectric field and the charge redistribution caused by this field while the parabolicity and anisotropy of the energy spectrum of two-dimensional electrons do not change appreciably.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович