Аннотация:Синтезированы образцы нанокристаллического оксида цинка, легированного галлием и индием путем соосаждения из водного раствора. Методами термопрограммируемой десорбции и ИК-спетроскопии исследованы кислотные центры на поверхности материалов. Показано увеличение концентрации ОН-групп на поверхности ZnO〈Ga〉 и ZnO〈In〉 и уменьшение вклада катионных центров в кислотность поверхности с увеличением концентрации примесей. Путем измерения электропроводности в условиях in situ исследовано взаимодействие материалов с кислородом. Выявлено, что легирование оксида цинка галлием и индием способствует увеличению доли молекулярных форм хемосорбированного кислорода на поверхности материала.