Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Photoreflectance study of carriers drift and diffusion in the different thickness InGaAs quantum well
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 сентября 2016 г.
Авторы:
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
,
Glazyrin E.V.
,
Kazakov I.P.
Сборник:
Abstracts of 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, October 3-7, 2011 St. Petersburg, Russia, р. 169
Тезисы
Год издания:
2011
Место издания:
Санкт-Петербург
Первая страница:
169
Последняя страница:
169
Добавил в систему:
Боков Павел Юрьевич