Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN зеленого свечения с разным количеством квантовых ям в активной области
тезисы доклада
Авторы:
Асланян А.Э.
,
Авакянц Л.П.
,
Червяков А.В.
,
Туркин А.Н.
,
Мазалов А.В.
,
Курешов В.Р.
,
Сабитов Д.Р.
, Мармалюк А.А.
Сборник:
Мокеровские чтения. 10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники
Серия:
Сборник трудов
Тезисы
Год издания:
2019
Место издания:
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва
Первая страница:
196
Последняя страница:
197
Добавил в систему:
Туркин Андрей Николаевич