|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Влияние одноосного сжатия на поляризацию излучения лазерных диодов на основе n-AlGaAs/GaAsP/p-AlGaAsтезисы доклада
- Авторы: Богданов Е.В., Кубашевский Е.П., Минина Н.Я.
- Сборник: Мокеровские чтения. 7-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 25 мая 2016 года, Москва
- Тезисы
- Год издания: 2016
- Издательство: НИЯУ МИФИ
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 71
- Последняя страница: 72
- Аннотация: В настоящей работе представлены результаты численных расчетов эффекта влияния на излучение лазерных диодов анизотропных деформаций, которые могут возникнуть в результате внешних механических или температурных воздействий, а также данные экспериментальных исследований поляризации излучения структур с квантовой ямой из GaAs0.84P0.16 шириной 14 нм при одноосном сжатии до 5 кбар вдоль направления [110].
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович