Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Formation of silicon carbide on silicon
статья
Авторы:
Kukushkin S.A.
, Osipov A.V.
Журнал:
Physics of
Том:
3
Номер:
14
Год издания:
2014
Аннотация:
solid state
Добавил в систему:
Ivanov Sergey Petrovich