|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
A nondestructive method for measuring the photoelectric parameters of wafers with p-n junctionsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Koshelev O.G., Morozova V.A.
- Журнал: Solid-State Electronics
- Том: 39
- Номер: 9
- Год издания: 1996
- Издательство: Pergamon Press Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 1379
- Последняя страница: 1383
- DOI: 10.1016/0038-1101(96)00040-8
- Добавил в систему: Кошелев Олег Григорьевич