|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Transversal Kerr effect of In1-xMnxAs layers prepared by ion implantation followed by pulsed laser annealingстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 ноября 2016 г.
- Авторы: Elena Gan’shina, Leonard Golik, Zoya Kun’kova, Igor Bykov, Andrey Novikov, Alexander Rukovishnikov, Yuan Ye, Georgy Zykov, Roman Böttger, Shengqiang Zhou
- Журнал: Japanese Journal of Applied Physics
- Том: 55
- Год издания: 2016
- Издательство: Institute of Pure and Applied Physics
- Местоположение издательства: Japan
- Первая страница: 07MF02-1
- Последняя страница: 07MF02-5
- DOI: 10.7567/JJAP.55.07MF02
- Добавил в систему: Ганьшина Елена Александровна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | jjap_55_7S3_07MF02.pdf | jjap_55_7S3_07MF02.pdf | 1,3 МБ | 20 июня 2016 [eagan] |