|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Investigation into the distribution of built-in electric fields in led heterostructures with multiple GAN/INGAN quantum wells by electroreflectance spectoscopyстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 августа 2019 г.
- Авторы: Aslanyan A.E., Avakyants L.P., Bokov P.Y., Chervyakov A.V.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 53
- Номер: 4
- Год издания: 2019
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 477
- Последняя страница: 483
- Добавил в систему: Червяков Анатолий Васильевич