|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Single-electron transistor based on highly doped silicon-on-insulatorтезисы доклада
- Авторы: Krupenin V.A., Presnov D.E., Vlasenko V.S., Afanasiev N.N., Erkhov D.N.
- Сборник: Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of 14th Int. Symposium - Nanostructures: Physics and Technology
- Тезисы
- Год издания: 2006
- Место издания: Ioffe St.Petersburg, Russia, 26-30 June
- Первая страница: 236
- Последняя страница: 237
- Добавил в систему: Преснов Денис Евгеньевич