|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Influence of La Doping on the Transport Properties of Bi1–xLaxCuSeO Oxyselenidesстатья Перевод
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 сентября 2019 г.
- Авторы: Pankratova D.S., Novitskii A.P., Kuskov K.V., Sergienko I.A., Leybo D.V., Burkov A.T., Konstantinov P.P., Khovaylo V.V.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 53
- Номер: 5
- Год издания: 2019
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 624
- Последняя страница: 627
- DOI: 10.1134/S1063782619050221
- Аннотация: The transport properties of p-type oxyselenides with the chemical composition Bi1 –xLaxCuSeO (x = 0.02, 0.04, 0.06) are investigated. An analysis of the temperature dependences of the material resistivity and charge-carrier concentration and mobility show that the substitution of La3+ for Bi3+ ions increases the carrier concentration, presumably, due to the generation of holes as a result of the formation of bismuth vacancies with an increase in the degree of substitution
- Добавил в систему: Новицкий Андрей Павлович