|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
ПОЛУЧЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР GAAS/ALGAAS МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ ДЛЯ КВАНТОВОГО КАСКАДНОГО ЛАЗЕРАстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКДата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 февраля 2020 г.
- Авторы: Мармалюк А.А., Падалица А.А., Ладугин М.А., Горлачук П.В., Яроцкая И.В., Андреев А.Ю., Багаев Т.А., Лобинцов А.В., Курнявко Ю.В., Сапожников С.М., Данилов А.И., Телегин К.Ю., Симаков В.А., Засавицкий И.И., Зарубин С.С.
- Журнал: Неорганические материалы
- Том: 53
- Номер: 9
- Год издания: 2017
- Первая страница: 909
- Последняя страница: 913
- DOI: 10.7868/S0002337X17090019
- Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии на основе гетеропары GaAs/AlGaAs выращены короткопериодные сверхрешетки, активная область и гетероструктура квантового каскадного лазера. Исследованы их характеристики методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. На основе гетероструктур разработаны квантовые каскадные лазеры, излучающие в области спектра около 10 мкм. Мощность излучения в импульсном режиме при 77 К составляла более 200 мВт.
- Добавил в систему: Багаев Тимур Анатольевич