|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
КВАНТОВЫЙ КАСКАДНЫЙ ЛАЗЕР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПАРЫ GAAS/AL0.45GA0.55AS, ПОЛУЧЕННЫЙ МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 сентября 2019 г.
- Авторы: Засавицкий И.И., Зубов А.Н., Андреев А.Ю., Багаев Т.А., Горлачук П.В., Ладугин М.А., Падалица А.А., Лобинцов А.В., Сапожников С.М., Мармалюк А.А.
- Журнал: Квантовая электроника
- Том: 46
- Номер: 5
- Год издания: 2016
- Издательство: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 447
- Последняя страница: 450
- DOI: 10.1070/QEL16058
- Аннотация: На основе гетеропары GaAs/Al0.45Ga0.55As создан квантовый каскадный лазер, излучающий в области длин волн 9.5 – 9.7 мкм в импульсном режиме при 77.4 К. Лазерная гетероструктура была выращена методом МОС-гидридной эпитаксии. Пороговая плотность тока составила 1.8 кА/см2. Максимальная мощность излучения лазера с размерами 30 мкм × 3 мм и сколотыми зеркалами превысила 200 мВт.
- Добавил в систему: Багаев Тимур Анатольевич