|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Thermal conductivity of a Tm3:GdVO4crystal and the operational characteristics of a microchip laser based on itстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 октября 2019 г.
- Авторы: Zagumennyi A.I., Zavartsev Yu D., Studenikin P.A., Vlasov V.I., Shcherbakov Ivan A., Wyss C.P., Luthy W., Weber H.P., Popov P.A.
- Журнал: Quantum Electronics
- Том: 29
- Номер: 4
- Год издания: 1999
- Издательство: Turpion - Moscow Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 298
- Последняя страница: 300
- DOI: 10.1070/qe1999v029n04abeh001513
- Аннотация: The thermal conductivity of a Tm3+:GdVO4 crystal was measured in the temperature range 50 - 300 K. At a temperature of 300 K, the thermal conductivity along the c axis amounted to 9.7 W m-1 K-1, which is higher than the thermal conductivity of a Cr:Tm:Ho :YAG crystal. A maximum output power of 1.4 W (λ=1.915 μm) was attained in a Tm3+:GdVO4 microchip laser for a lasing threshold of 5.7 W and a differential efficiency of 9.2%. A GdVO4 array was found to have a number of advantages compared with other media for the fabrication of diode-pumped lasers.
- Добавил в систему: Попов Павел Аркадьевич