Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
LOW-TEMPERATURE ELECTRICAL-CONDUCTIVITY OF SILICON IMPLANTED WITH PHOSPHORUS AND ANTIMONY IONS
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
Авторы:
Abramov V.V.
,
Kul'bachinskii V.A.
,
Kytin V.Gg
,
Timofeev A.B.
,
Ul'yashin A.G.
Журнал:
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
Том:
26
Номер:
5
Год издания:
1992
Первая страница:
495
Последняя страница:
497
Добавил в систему:
Кытин Владимир Геннадьевич